课程中心-微电子器件

课程概述

本课程是“电子科学与技术”与“集成电路设计与集成系统”专业的一门专业主干课，目的是使学生掌握二极管、双极型晶体管与MOS场效应晶体管的基本原理和工作特性。这些内容是微电子技术领域的工程师所必须掌握的。本课程的先修课程是“半导体物理”。本课程是晶体管设计与模拟、集成电路原理、微电子工艺、集成电路制造工艺等有关的课程的先修课程。

课程大纲

先修课程：《固体物理》、《半导体物理》

第一周半导体器件基本方程、平衡PN结空间电荷区和内建电势: 1 半导体器件基本方程; 2.1 平衡PN结空间电荷区和内建电势; 2.2 平衡PN结空间电荷区的电场分布和宽度
第二周平衡PN结的能带图与空间电荷区载流子分布、外加偏压PN结载流子运动: 2.3 平衡PN结的能带图与空间电荷区载流子分布; 2.4 外加偏压下PN结载流子运动
第三周理想的PN结直流电流电压特性、势垒区复合产生电流对PN结直流特性的影响: 2.5 理想的PN结直流电流电压特性; 2.6 势垒区复合产生电流对PN结直流IV特性的影响
第四周准费米能级与非平衡态PN结能带图、大注入对直流特性的影响、PN结的击穿电压: 2.7 准费米能级与非平衡态PN结能带图; 2.8 大注入对直流特性的影响; 2.9 PN结的击穿电压
第五周 PN结的势垒电容、PN结的扩散电容、PN结的开关特性: 2.10 PN结的势垒电容; 2.11 PN结的扩散电容; 2.12 PN结的开关特性
第六周双极型晶体管基础、均匀基区晶体管的电流放大系数: 3.1 双极型晶体管基础; 3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数
第七周缓变基区晶体管的电流放大系数: 3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数
第八周双极型晶体管的电流电压方程: 3.4 双极型晶体管的电流电压方程
第九周双极型晶体管的反向特性、基极电阻: 3.5 双极型晶体管的反向特性; 3.6 基极电阻
第十周电流放大系数与频率的关系、高频小信号电流电压方程与等效电路、功率增益和最高震荡频率: 3.7 电流放大系数与频率的关系; 3.8 高频小信号电流电压方程与等效电路; 3.9 功率增益和最高震荡频率
第十一周 MOSFET基础、MOSFET的阈电压: 4.1 MOSFET基础; 4.2 MOSFET的阈电压
第十二周 MOSFET的直流电流电压方程、MOSFET的亚阈区导电、MOSFET的直流特性和温度特性: 4.3 MOSFET的直流电流电压方程; 4.4 MOSFET的亚阈区导电; 4.5 MOSFET的直流特性和温度特性
第十三周 MOSFET的小信号交流参数、短沟道效应、MOSFET的发展方向: 4.6 MOSFET的小信号交流参数; 4.7 短沟道效应; 4.8 MOSFET的发展方向

教学团队

刘继芝

副教授

任敏

副教授

钟智勇

教授